苏州华太申请一种中低压 SIC IGBT 器件专利,解决传统器件结构不适用于中低压的问题
金融界 2025 年 4 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种中低压 SIC IGBT 器件”的专利,公开号 CN 119743965 A,申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示, 本申请提供了一种中低压 SIC IGBT 器件,包括:衬底;第二掺杂类型的外延层,形成在所述衬底之上;第一掺杂类型的集电区,形成在所述外延层内;集电极金属,形成在所述衬底的背侧;集电区连接孔,连通所述集电区的下表面至所述集电极金属的上表面;集电区引出金属,填充在所述集电区连接孔内,所述集电区引出金属的上端与所述集电区的下表面连接, 所述集电区引出金属的下端与所述集电极金属的上表面连接 本申请解决了传统的 SIC IGBT 器件的结构无法适用于中低压 SIC IGBT 器件的技术问题。
天眼查资料显示,苏州华太电子技术股份有限公司,成立于2010年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币,实缴资本1888.904万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业,参与招投标项目19次,财产线索方面有商标信息48条,专利信息463条,此外企业还拥有行政许可10个。
本文源自金融界
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